离子注入气相沉积(IVD)

离子注入气相沉积(Ion Implant Vapor Deposition)技术，新创元独创的全新技术，是通过在基材表面注入金属离子的方式实现基材表面的金属化的一种技术。与传统的化铜实现基材表面金属化不同，该技术是一种基于半导体离子注入的干法技术，新的技术增大了金属与基材的结合力。同时IVD技术对基材更加友好，广泛适用于ABF、BT、PI、陶瓷、LCP、玻璃及常见的线路板用的材料。因此即可用于载板行业，也可用于线路板行业。由于IVD采用干法工艺，无废水处理的负担，同样也是一种绿色环保技术。

离子注入加成法(I-SAP)

离子注入加成法(IVD Semi-Additive Process)，是基于IVD技术的SAP工艺，并对现有工艺的进一步改善和提升。

传统的半加成工艺需要将基材表面粗糙化，而后在粗糙的基材表面形成种子层。区别于传统的半加成工艺，I-SAP工艺具有光滑界面上种子层更薄、图形的补偿更小、线路更均匀、布线密度更高及高频信号传输更友好等优势。

超细线宽载板技术(ROS)

超细线宽载板技术(RDL on Substrate)，是采用IVD技术在载板上实现超细线宽(<4微米)的一种技术，该技术主要面向Chiplet用的超细线宽、更大面积、高频高速的载板。该技术实现了，I-SAP工艺具有光滑界面上种子层更薄、图形的补偿更小、线路更均匀、布线密度更高及高频信号传输更友好等优势。